图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 50V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 100mA |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 7.8 Ohm @ 50mA, 4V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | - |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 1.57nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 6.6pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 250mW |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | 3-SIP |
| 供应商器件封装 | 3-SPA |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3SPA |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 50 V |
| 最大连续漏极电流 | 0.1 A |
| RDS -于 | 7800@4V mOhm |
| 最大门源电压 | ±10 V |
| 典型导通延迟时间 | 18 ns |
| 典型上升时间 | 42 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 190 ns |
| 典型下降时间 | 105 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±10 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 包装高度 | 3 |
| 最大功率耗散 | 250 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 7800@4V |
| 最大漏源电压 | 50 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装宽度 | 2.2 |
| 供应商封装形式 | SPA |
| 包装长度 | 4 |
| PCB | 3 |
| 最大连续漏极电流 | 0.1 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| FET特点 | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 100mA (Ta) |
| 封装/外壳 | 3-SIP |
| 供应商设备封装 | 3-SPA |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 7.8 Ohm @ 50mA, 4V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 250mW |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 50V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 6.6pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 1.57nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | Through Hole |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 10 V |
| 连续漏极电流 | 0.1 A |
| RDS（ON） | 7.8 Ohms |
| 功率耗散 | 0.25 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 50 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 高度 | 3mm |
| 类别 | 小信号 |
| 长度 | 4mm |
| 典型输入电容值@Vds | 6.6 pF @ 10 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 20 Ω |
| 最大栅阈值电压 | 1.3V |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | N |
| 最大功率耗散 | 0.25 W |
| 最大栅源电压 | ±10 V |
| 宽度 | 2.2mm |
| 尺寸 | 4 x 2.2 x 3mm |
| 最大漏源电压 | 50 V |
| 典型接通延迟时间 | 18 ns |
| 典型关断延迟时间 | 190 ns |
| 封装类型 | SPA |
| 最大连续漏极电流 | 100 mA |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1.57 nC @ 10 V |
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